纳米银膏
纳米银膏兼容锡膏的点胶、印刷工艺和设备，工艺温度低，连接强度高，烧结后为100%Ag，理论熔点达到961℃，可替代现有的高铅焊料应用，且导热性能优异，适用于IGBT、LED、射频等功率元器件的无压封接，尤其契合第三代半导体封装应用。
特点:
l 独有的纳米银分散体系，符合RoHS要求
l无压烧结/加压烧结
l 低温烧结（200℃），高温服役
l 高连接强度，高导电、导热性能
l 可替代高铅焊料
l无有机残留，无需清洗
规格参数:
典型应用场景：
大功率半导体器件封装
纳米银膏兼容锡膏的点胶、印刷工艺和设备，工艺温度低，连接强度高，烧结后为100%Ag，理论熔点达到961℃，可替代现有的高铅焊料应用，且导热性能优异，适用于IGBT、LED、射频等功率元器件的无压封接，尤其契合第三代半导体封装应用。
特点:
l 独有的纳米银分散体系，符合RoHS要求
l无压烧结/加压烧结
l 低温烧结（200℃），高温服役
l 高连接强度，高导电、导热性能
l 可替代高铅焊料
l无有机残留，无需清洗
规格参数:
典型应用场景：
大功率半导体器件封装
