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碳化硅行业分析报告:新能源东风已至,碳化硅御风而起
上传更新:2022-09-12


转自未来智库

(报告出品方/作者:东方证券,蒯剑,李庭旭)

1、碳化硅性能优势突出

主流半导体采用硅材料,射频、功率、光通信等特殊应用对半导体材料提出特殊需求。SiC 是制 作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一,是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导 体材料。

1.1、SiC性能优势显著

同半导体材料硅(Si)相比,其禁带宽度是硅(Si)的 3 倍,击穿电压是其 8-10 倍,导热率是其 3-5 倍,电子饱和漂移速率是其 2-3 倍。

SiC 在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压方面,SiC 阻抗更低,禁带宽度更宽, 能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更好效率;耐高频方面,SiC 不存在电流 拖尾现象,能够提高元件的开关速度,是硅(Si)开关速度的 3-10 倍,从而适用于更高频率和更 快的开关速度;耐高温方面,SiC 拥有非常高的导热率,相较硅(Si)来讲,能在更高的温度下 工作。因此,SiC 能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,有望成为未来最 被广泛使用的半导体芯片基础材料。 SiC主要用于功率或射频器件,适用于600V以上的高压场景,包括光伏、新能源汽车、充电桩、 风电、轨道交通等等电力电子领域。其中,新能源汽车领域,功率半导体主要应用于电机控制器、 DC/DC 变换器、车载充电机、压缩机、水泵、油泵,同时还应用于配套充电桩。


1.2、SiC衬底价值量最大,6英寸晶片成为主流

SiC 产业链主要包括上游衬底、中游外延、下游器件制造和模块封装,产业链价值量倒挂,其中 衬底制造技术壁垒最高、价值量最大,是未来 SiC 大规模产业化推进的核心。

衬底:最为核心的环节,价值量最高,约为 46%。根据电阻率的不同,可分为导电型和半绝 缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法(PVT) 生长 SiC 晶锭,之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成衬底,其中晶体的 生长为核心工艺,核心难点在于提升良品率。晶片尺寸越大,对应晶体的生长与加工技术难 度越大,长晶技术壁垒高,毛利率可达 50%左右。 外延:价值量占比约23%,是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电 型 SiC 衬底用于 SiC 外延,生产功率器件,应用于电动汽车和新能源领域;半绝缘型 SiC 衬 底用于氮化镓外延,生产射频器件,应用于 5G 通信等领域。

器件制造及模块封装:价值量占比约 20%,产品包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、全 SiC 模 块、SiC 混合模块。 应用:依据电阻率区分,导电型 SiC 器件主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、充电桩等领 域;半绝缘 SiC 器件主要用于 5G 通信、数据传输、航空航天、国防军工等领域。

半绝缘型 SiC 衬底市场增长迅速,6 英寸晶片成为发展趋势。受益于 5G 基建加快布局和全球地 缘政治动荡,半绝缘型 SiC 衬底市场增长空间巨大。根据 Yole 数据,2020 年全球半绝缘型 SiC 衬底市场规模为 1.8 亿美元,较 2019 年同比增长 18%。此外,根据中国宽禁带功率半导体及应 用产业联盟数据,2020 年全球 4 英寸半绝缘型 SiC 晶片的市场需求约 4 万片,6 英寸约 5 万片, 两者需求占比不相上下;预计到 2025 年,4 英寸市场需求将减少至 2 万片,6 英寸成为发展趋势。

导电型 SiC 衬底市场发展前景良好,6 英寸衬底占据绝大部分市场份额。受下游民用领域的持续 景气,如新能源汽车与光伏,导电型 SiC 衬底市场规模不断扩容。根据 Yole 数据,2018 年,全 球导电型 SiC 衬底市场规模为 1.7 亿美元,2020 年增长至 2.8 亿美元,复合增长率为 26%。根据 中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据,全球 6 英寸导电型衬底需求从 2020 年的超 8 万片增 长至 2025 年的 20 万片,而 4 英寸产品将逐步退出市场。

SiC 主流大厂正陆续推出 8 英寸晶圆片。当前,全球市场上 6 英寸 SiC 衬底已实现商业化,主流 大厂也陆续开始推出 8 英寸样品。SiC 晶圆尺寸的扩大不仅可以降低生产成本,而且有利于保持 晶圆几何形状,减少边缘翘曲,提升晶圆生产的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圆 样品的制样,意法半导体在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圆片。预计 2023 年开 始,各大厂商将逐渐量产 8 英寸衬底,并继续提高外延和器件方面产能及良品率。随着 6 英寸衬 底、外延晶片质量提高,8 英寸产线实现规模化生产,SiC 器件和模块逐渐普及为电动汽车主流配 置,规模效应增大,成本可得到有效降低。

1.3、SiC价格呈下降趋势,渗透率有望随之提升

目前,SiC 衬底成本高/制作难、长晶速度慢、损失率高导致了器件的高成本,影响了 SiC 器件的 渗透率。根据我国第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)数据显示,SiC 功率器件最主要 的原材料成本——SiC 衬底、外延片的价格近年来持续下降,原因有:第一,伴随大直径衬底占比不断提高,衬底单位面积生长成本下降;第二,单晶的平均可用厚度仍会持续增加,这将不断 降低单位面积衬底成本;第三,衬底质量和晶片供货量的提高,以及外延晶片成品率的提高,推 动 SiC 器件成本逐步降低。未来 SiC 各环节成本有望持续下降,并迎来对于下游产业的加速渗透。

2、欧美厂商高度垄断,国内厂商潜力巨大

Wolfspeed 垄断 SiC 器件与外延片市场,欧美企业主导 SiC 器件市场。从衬底到器件环节,目前 以 Wolfspeed、ST 及罗姆等海外头部企业占据产业链主要份额。其中,因布局较早,良率与产能 规模全球领先,在 SiC 衬底及外延片市场 Wolfspeed 一家独大。下游器件领域,欧美日企业领先, 整体市占率达到 95%,意法半导体作为特斯拉 SiC 功率器件的第一梯队供应商,市场占有率排名 第一,达到 41%。

国际主流厂商大幅扩产,释放抢占 SiC 市场信号。国际企业大力完善第三代半导体产业布局,计 划大幅扩产来强化竞争优势,以抢夺日渐增长的市场份额。安森美表示 22 年要将 SiC 产能扩充 4 倍;意法半导体计划到 2024 年将 SiC 晶圆产能提高到 2017 年的 10 倍,SiC 营收将达到 10 亿美 元。在国际大厂加速扩产的背景下,SiC 产业格局逐渐迎来空前重构和变化。

国内厂商加速布局,发展空间巨大。国内企业也在积极研发和探索 SiC 器件的产业化,已经形成 相对完整的 SiC 产业链体系,部分产业节点已有所突破。SiC 衬底方面,天岳先进在半绝缘 SiC 衬底的市场占有率连续三年保持全球前三;天科合达在国内率先成功研制 6 英寸 SiC 衬底,并已 实现 2-6 英寸 SiC 晶片的规模化生产和器件销售。SiC 外延片方面,厦门瀚天天成与东莞天域可 生产 2-6 英寸 SiC 外延片。SiC 器件方面,国内厂商主要有泰科天润、瀚薪、扬杰科技、中电 55 所、中电 13 所、科能芯、中车时代电气等。模组领域,目前 SiC 市场斯达半导、河南森源、常州 武进科华、中车时代电气处于起步阶段。中国厂商在围绕 SiC 衬底生产上正在缩短与国外差距, 未来若能在 6 英寸和 8 英寸的 SiC 晶圆良率和成本上进一步实现突破是竞争的关键。

3、新能源革命来临,SiC器件迎风而起

全球 SiC 器件市场发展迅猛,2025 年有望增长至 26 亿美元。受益于 5G 通信、国防军工、新能 源汽车和新能源光伏等领域的发展,SiC 器件市场规模增速可观。Yole 数据显示,2019 年全球 SiC 功率器件市场规模为 5.4 亿美元,预计 2025 年将增长至 25.6 亿美元,CAGR 约 30%。整体 电动车相关领域(主逆变器+OBC+DC/DC 转换器)SiC 市场规模有望在 25 年达到 15.5 亿美元, 19-25 年 CAGR 为 38%;而电动车充电基础设施领域 SiC 增长最快,19-25 年 CAGR 为 90%。

3.1、新能源车是SiC器件的核心驱动力

全球新能源汽车终端需求火热,车用 SiC 晶圆需求攀升。根据 EVTank 数据显示,全球新能源汽 车 2025 年销量将达到 1800 万辆,19-25 年 CAGR 为 42%。随着新能源车渗透率不断升高,以及 整车架构朝 800V 高压方向迈进,SiC 器件在车载逆变器等领域有望迎来规模化发展。据 TrendForce 数据显示,预估 2025 年全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求可达 169 万片,21- 25 年 CAGR 为 94%。

国内新能源车市场规模快速增长,SiC 功率器件有望进一步突破。IDC 预计,2022 年中国新能源车 市场规模将达到 523 万辆,同比增长 47.2%。2025 年新能源车市场规模有望达到约 1,299 万辆, 2021-2025 年复合增长率约为 38%。根据 DIGITIMES Research 预测,2025 年电动汽车用 SiC 功率半导体将占整车用功率半导体的 37%以上,高于 2021 年的 25%。国内新能源车市场具备领先优势,随着渗透率的进一步提升以及汽车电子化程度的持续推进,国内车用 SiC 器件规模有望 快速突破。

多维度优势赋能车用 SiC 器件。SiC 功率器件在新能源汽车中展现出独特优势,其应用场景包括: 电机驱动系统逆变器、电源转换系统(车载 DC/DC)、车载充电系统(OBC)及非车载充电桩 等。从材料来看,SiC 相对于硅材料拥有更高的击穿场强、更高的热导率以及更高的电子饱和漂 移速度;从电路损耗来看,在同等条件下,SiC 功率器件能大幅减小电路开关的能量损耗(下降 85%);从设备空间来看,采用 SiC 功率器件的 DC/DC 转换器、车载充电机以及电机控制器分别 能加减小设备 20%、40%、64%的系统空间;从电池转化效率来看,集成了 SiC 器件的模块能帮 助系统提升 6%的电力转换效率。

众多新能源汽车厂商竞相布局 SiC 器件。2018 年,特斯拉的 Model 3 首次采用意法半导体和英飞 凌的 SiC 逆变器取代了 Si-IGBT,逆变器效率提升了 5-8%。2020 年,比亚迪将自主研发制造的 SiC MOSFET 功率器件搭载在汉 EV 四驱高性能版上,实现了 200KW 的输出功率,功率密度提 升一倍。预计到 2023 年,比亚迪将实现 SiC 基车用功率半导体对硅基 IGBT 的全面替代,将整车 性能在现有基础上再提升 10%。目前,已有多家厂商推出了面向 HEV/EV 等电动汽车充电器的SiC 功率器件。未来随着 SiC 器件在车载充电器、DC/DC 转换以及充电桩中渗透率提升,市场空 间有望快速扩大。

新能源车高电压平台大势所趋,SiC 器件彰显优势。近年来各车企纷纷通过提升功率来缓解新能 源汽车的续驶焦虑和充电焦虑,而功率的增加一般有两种路径,即提高电流或电压。然而,大电 流可能会导致较大的核心部件热损耗,因此高电压电气平台成为了首选。高电压平台要求电驱动 系统的耐压性也要随之提升,而硅基器件无法承载电压的大幅升高,故 SiC 应用将逐步替代硅基 IGBT 成为关键。相比之 IGBT,SiC 体积小、功率密度高、耐高压和高温能力强,可助力新能源 车实现更长的续航里程、更短的充电时间和更强的动力性能。

国内外车企纷纷布局 800V 高压平台,SiC 大规模车载应用可期。在相同功率下,800V 电压平台 较 400V 电压的电流减半,电池充电热量降低,且低成本、轻量化、EMC 干扰的降低,以及效率 和续航的提升,让充电补能体验大幅增强。2019 年保时捷 Taycan 推出全球首款 800V 高电压电 气架构,支持 350kw 大功率快充,15 分钟内电量可充到 80%。近年来比亚迪、奥迪、吉利、小 鹏等一众车企也纷纷开始布局800V高电压平台,预计各大车企基于800V高压平台方案将在2022 年之后陆续上市,SiC 作为 800V 平台架构的最佳拍档有望大放异彩。

800V 高压平台需要电源产品配套升级,充电桩等迎来发展良机。当动力电池电压平台升级到 800V,当前的 OBC、DC/DC 及充电桩等电源产品都需要从 400V 等级提升至符合 800V 电压平台 的应用,SiC 器件由于其优异的特性也将开始大规模的应用。以充电桩为例,800V 高压充电桩在 设计架构上区别于 400V 的重要特点是需要配置 SiC MOSFET,以达到更快的充电速度和更好的 器件耐压性。22 年 Wolfspeed 宣布参与搭载 SiC 技术的直流快速充电桩项目,总功率可达 350 kW,成本可降低 20-30%。国内车企也开始发力,广汽埃安于 2021 年 8 月发布 480kW 超级充电 桩,小鹏也宣布 22Q4 起部署 480kW 高压超充桩,实现充电 5 分钟续航 200 公里。

3.2、光伏产业快速发展,SiC应用未来可期

全球和国内光伏新增装机量快速增长,成长天花板被打开。根据 CPIA 预测,乐观情况下,全球 光伏年新增装机在 2022 年将首次突破 200GW,达到 225GW 的水平,到 25 年全球年新增装机将 达到 330GW,20-25 年光伏新增装机的复合增长率达 20%;2025 年我国新增装机规模将达到 110GW,相当于 2020 年底的 3.7 倍。

光伏逆变器出货量高速增长,IGBT 作为逆变器“心脏”作用凸显。光伏逆变器是光伏系统的核 心部件,可以将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电,并反馈回输电系统或供离网的电网使 用。根据 IHS Markit,近年来光伏产业的快速发展带动光伏逆变器市场规模快速提升,2020 年全 球光伏逆变器的市场规模为 136GW,2025 年将有望达到 401GW,20-25 年 CAGR 为 24%。光 伏逆变器成本结构方面,半导体器件和集成电路材料主要为 IGBT 元器件和 IC 半导体,其中以 IGBT 为主的半导体器件在驱动保护、过电流/短路保护、过温保护、机械故障保护等方面发挥巨 大作用,是逆变器的“心脏”,约占逆变器成本的 12%左右。

SiC 器件可有效提高光伏逆变器性能,有望逐步替代硅基 IGBT 成为逆变器核心。相比于硅基 IGBT,SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点, 并且可以在高温等恶劣的环境中工作,有利于提高光伏逆变器使用寿命。根据 SiC 芯观察数据, 采用 SiC 器件可有效提高光伏发电转换效率,光伏逆变器的转换效率可从硅基的 96%提升至 SiCMOSFET 的 99%以上,能量损耗降低 50%以上,设备循环寿命提升 50 倍。未来应用于光伏领域 的SiC逐渐成熟,伴随渗透率的进一步提升,其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。

国内光伏逆变器厂商加快布局,为 SiC 国产化提供历史性机遇。随着中国光伏装机量的增长,中 国本土厂商加快技术与产品升级,在全球已占据重要位置。在出货量排名前十的供应商中有六家 是中国供应商,其中华为以 23%的市占率位居榜首,国内逆变器厂商在全球逆变器市场中占据超 六成市场份额。未来随着新能源替代传统燃料进程加速,逆变器向高效率、高功率密度、高可靠 性等方向发展,SiC 器件有望受益于本土供应链优势,迎来发展良机。根据 SiC 芯观察数据显示, 2020 年 SiC 光伏逆变器占比为 10%,预计 2035 年占比将达到 75%,未来空间十分广阔。

3.3、SiC器件在轨道交通领域持续渗透

在大容量、轻量化和节能化要求下,轨道交通领域采用 SiC 大势所趋。随着轨道交通硅基功率器 件性能逐渐逼近理论极限,SiC 功率器件成为重点发展方向,以满足轨道交通系统对高功率密度、 低损耗和高可靠性等要求。与传统硅基 IGBT 牵引逆变器相比,全 SiC 牵引逆变器能耗能够降低 10%以上。2014 年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机 3300V/1500A 全 SiC 功率模块逆变器,开关损耗降低 55%,体积和重量减少 65%,电能损耗降低 20%~36%。根据 CASA 预 测,未来 30 年内,轨道交通应用中 90%的硅 IGBT 将被 SiC 器件或混合器件替代。Yole 数据显 示,铁路 SiC 市场将从 2019 年的 900 万美元增长到 2025 年的 1.18 亿美元,CAGR 达到 55%。

国内外厂商纷纷布局轨交系统 SiC 器件。2015 年,日本三菱公司推出了高性能平面栅 3.3kV SiC MOSFET 器件及全 SiC 模块产品,并在全世界首次将全 SiC 模块应用到轨道交通牵引变流系统 中。近年来随着新能源产业的蓬勃发展,SiC 加快渗透进入轨交领域。日本 N700S 新干线、西门 子 Velaro 列车等也大面积采用了 SiC 牵引系统,截至 2021 年 6 月,国内也已经有苏州三号线、 深圳地铁1号线等6条地铁线路采用了SiC技术。目前中国的时代电气、天岳先进,日本的东芝、 三菱、日立,以及欧美的 Wolfspeed、英飞凌,都已在发力轨道交通 SiC 产业链。我国高铁建设 目前已拥有世界领先水平,中国巨大的应用需求是国产 SiC 的“沃土”,国内厂商有望借助庞大 市场确立先发优势。

4、重点企业分析

4.1、三安光电:LED龙头,大力发展化合物半导体业务

三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售,以氮化镓、砷化镓、SiC、磷 化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司产品应用 广泛,包括照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传 感等领域。2018 年公司斥资 333 亿元建设福建泉州南安高新技术产业园区,投资 III-V 族化合物 半导体材料、LED 外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC 材料及器 件、特种封装等产业。三安光电已实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

三安光电在 SiC 下游市场已取得多点突破,并已实现对各细分应用市场标杆客户的稳定供货。1) SiC 二极管:在 2021 年新开拓送样客户超过 500 家,出货客户超过 200 家,超过 60 种产品已进 入量产阶段。并借助在欧美日韩等国家和地区的技术和销售布局,与国际标杆客户实现战略合作。 a)已进入国内前 20 大客户:已进入 PFC 电源领域(维谛、比特、长城等)和光伏逆变器领域 (阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等)等客户的供应链。b)已实稳定供货:已对车载充 电机领域(威迈斯、比亚迪弗迪动力等)、家电领域(格力、长虹等)、充电桩及 UPS 领域(英 飞源、科华、英威腾、嘉盛等)各细分应用市场标杆客户稳定供货。

2)SiC MOSFET 工业级产品: 已送样客户验证。3)SiC MOSFET 车规级产品:正配合多家车企做流片设计及测试,与新能源汽 车重点客户的合作已经取得重大突破。车和家(理想关联公司)与三安成立合资公司,车和家持 有合资公司 70%股权,三安持有 30%股权。

三安光电正致力于打造 SiC IDM 一体化平台,湖南项目陆续投产后将持续带动营收高增长。三安 光电2021年报披露,集成电路新建项目规划产能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安,电力电 子 SiC 配套产能扩充到 3 万片/月。其中,湖南三安项目包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,总占地面积约 1,000 亩,总建筑面积超 50 万平米,项目达产后,配套产能约 36 万片/年。

4.2、中微公司:正开发SiC专用MOCVD设备

中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司基于在半导体设备 制造产业多年积累的专业技术,涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 外延片生产、功率器 件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。1)等离子体刻蚀设备:已应用于国际一线 客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产 线。2)MOCVD 设备:在行业领先客户的生产线上大规模投入量产,公司已成为世界排名前列的 氮化镓基 LED 设备制造商。截至 2022 年 6 月底,公司设备累计付运台数达 2654 个反应台,在 客户 73 条生产线全面量产。

中微公司积极布局SiC材料功率器件外延生长设备和技术研发,牵头人具有25年以上相关经验。 根据公司公告,公司将总投资 37.56 亿元用于中微临港总部和研发中心项目,其中部分资金用于 公司 7 类新产品的研发项,其中一种就是宽禁带功率器件外延生长设备,主要包括 SiC 材料功率 器件的外延生长设备和技术的研发。该项目牵头人具有 25 年以上化合物半导体材料外延工艺开发、 设备研发及营运的经验。目前项目处于研究阶段,已拥有 10 余项专利技术储备,预计将持续至 2025 年底。

4.3、天岳先进:国内领先的SiC衬底企业

天岳先进主要从事 SiC 衬底的研发、生产和销售,产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。 凭借卓越的研发及创新能力,天岳先进已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型 SiC 衬底、 产品尺寸较全的 SiC衬底生产商。1)半绝缘型:在发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背 景下,公司自主研发出半绝缘型 SiC 衬底产品,实现了我国核心战略材料的自主可控。2)导电 型:公司已成功掌握导电型 SiC 衬底材料制备的技术和产业化能力。在优先保障半绝缘型 SiC 衬 底材料战略供应之余,进行导电型 SiC 衬底材料的研发和小批量销售,目前正在电力电子领域客 户中进行验证。

天岳先进半绝缘型产品已实现对国内下游核心客户的批量供货,并获得国外知名半导体公司认可。 公司通过持续的技术研究和产品开发,于 2015 年实现了 4 英寸半绝缘型 SiC 衬底的量产能力。 2018 年,公司通过下游行业主要的领先客户 A 的验证并开始批量供货。随后,公司又获得下游行 业主要客户 B 的认证,并获得大批量订单,国内市场份额进一步提升。根据 yole 报告统计,2021 年公司在半绝缘 SiC 衬底领域,市场占有率连续三年保持全球前三。

天岳先进导电型 SiC 衬底部分送样已陆续通过客户验证,正加快提升导电型衬底产能建设。2022 年 7 月,公司与某客户签署重大合同,23 年至 25 年向合同对方销售 6 英寸导电型 SiC 衬底产品 (用于功率),预计三年合计含税销售金额为 13.9 亿元。此外,2021 年公司募投资金 25 亿元用 于“SiC 半导体材料项目”。该项目主要用于生产 6 英寸导电型 SiC 衬底材料,预计 2022Q3 实现一 期项目投产,于 2026 年达产后,将新增 SiC 衬底材料产能约 30 万片/年,将用于满足下游电动汽 车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等 SiC 电力电子器件应用领域的广泛需求。未来, 产能的逐步投产将有助于天岳先进市场占有率的进一步提高。

4.4、闻泰科技:安世半导体SiC二极管产品已经出样

闻泰科技主营业务包括半导体 IDM、光学影像、通讯产品集成三大业务板块。目前已经形成从半 导体芯片设计、晶圆制造、封装测试、半导体设备,到光学影像、通讯终端、笔记本电脑、IoT、 服务器、汽车电子产品研发制造于一体的全产业链布局。旗下安世半导体是全球知名的半导体 IDM 公司,是原飞利浦半导体标准产品事业部,有 60 多年半导体研发和制造经验,客户超过 2.5 万个,产品种类超过 1.5 万种,每年新增 800 多种新产品,全部为车规级产品。

安世半导体 SiC 技术研发进展顺利,SiC 二极管产品已经出样。2021 年,闻泰科技半导体业务研 发投入 8.37 亿元,进一步加强了在中高压 MOSFET、化合物半导体 SiC 和 GaN 产品、IGBT 以 及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面,闻泰目前已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET),已通过 AECQ 认证测试并实现量产,并协同产业合作伙伴完成了 GaN 在电动车逆变器、 电控、电源等方案的设计工作。SiC 技术研发也进展顺利,SiC 二极管产品已经出样 IGBT 产品方 面,目前产品流片已经完成,正处测试验证阶段。新的模拟 IC 类产品也正处在加速研发推进中。

(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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